Отрывок: Ɂɚɡɨɪ ɦɟɠɞɭ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚɦɢ ɫɨɫɬɚɜɥɹɥ К=140 ɦɤɦ, ɪɚɫɫɬɨɹɧɢɟ ɨɬ ɬɨɪɰɚ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚ ɞɨ ɤɨɧɬɚɤɬɧɨɣ ɩɥɨщɚɞɤɢ δ2=500 ɦɤɦ. ɋ-ɨɫɶ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ ɨɪɢɟɧɬɢɪɨɜɚɥɚɫɶ ɩɟɪɩɟɧɞɢɤɭɥɹɪɧɨ ɭɩɪɚɜɥɹɸщɢɦ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚɦ. Ɉɬɧɨɫɢɬɟɥɶɧɵɟ ɞɢɷɥɟɤɬɪɢɱɟɫɤɢɟ ɩɪɨɧɢɰɚɟɦɨɫɬɢ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ ɫɨɫɬɚɜɥɹɥɢ İa=İy=İz=8γ, İc=İx =β4,5. ɉɪɢ ɪɚɫɱɟɬɚɯ ɡɚɞɚɜɚɥɢɫɶ ɱɟɪɟɞɭɸщɢɟɫɹ ɩɨɬɟɧɰɢɚɥɵ ɷɥɟɤɬɪɨɞɨɜ U1=1 ȼ, U2=0 ȼ. Ȼɵɥɢ ɜɡɹɬɵ ɫɥɟɞɭɸщɢɟ ɷɥɥɢɩɬɢɱɧɨɫɬɢ ɬɨɪɰɨɜ 1μ1, 1μ1.5, 1μβ, 1μβ.5, 1μγ, 1μγ.5...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДостовалов, А.А.-
dc.contributor.authorПаранин, В.Д.-
dc.date.accessioned2017-03-10 11:23:33-
dc.date.available2017-03-10 11:23:33-
dc.date.issued2015-
dc.identifierDspace\SGAU\20170310\62625ru
dc.identifier.citationИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 403-404ru
dc.identifier.isbn978-5-93424-739-4-
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Razlichnye-metody-ponizheniya-napryazhennosti-elektricheskogo-polya-v-kristalle-niobata-litiya-62625-
dc.description.abstractВ данной работе рассмотрены различные методы снижения напряженности электрического поля в управляемой дифракционной решетке на основе электрооптического кристалла ниобата лития. Выявлена и обоснована необходимость снижения напряженности в управляемой дифракционной решетке.ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИздательство Самарского научного центра РАНru
dc.subjectуправляемые дифракционные решеткиru
dc.subjectэлектрическое полеru
dc.subjectнапряженностьru
dc.subjectмоделированиеru
dc.titleРазличные методы понижения напряженности электрического поля в кристалле ниобата литияru
dc.typeArticleru
dc.textpartɁɚɡɨɪ ɦɟɠɞɭ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚɦɢ ɫɨɫɬɚɜɥɹɥ К=140 ɦɤɦ, ɪɚɫɫɬɨɹɧɢɟ ɨɬ ɬɨɪɰɚ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚ ɞɨ ɤɨɧɬɚɤɬɧɨɣ ɩɥɨщɚɞɤɢ δ2=500 ɦɤɦ. ɋ-ɨɫɶ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ ɨɪɢɟɧɬɢɪɨɜɚɥɚɫɶ ɩɟɪɩɟɧɞɢɤɭɥɹɪɧɨ ɭɩɪɚɜɥɹɸщɢɦ ɷɥɟɤɬɪɨɞɚɦ. Ɉɬɧɨɫɢɬɟɥɶɧɵɟ ɞɢɷɥɟɤɬɪɢɱɟɫɤɢɟ ɩɪɨɧɢɰɚɟɦɨɫɬɢ ɤɪɢɫɬɚɥɥɚ ɫɨɫɬɚɜɥɹɥɢ İa=İy=İz=8γ, İc=İx =β4,5. ɉɪɢ ɪɚɫɱɟɬɚɯ ɡɚɞɚɜɚɥɢɫɶ ɱɟɪɟɞɭɸщɢɟɫɹ ɩɨɬɟɧɰɢɚɥɵ ɷɥɟɤɬɪɨɞɨɜ U1=1 ȼ, U2=0 ȼ. Ȼɵɥɢ ɜɡɹɬɵ ɫɥɟɞɭɸщɢɟ ɷɥɥɢɩɬɢɱɧɨɫɬɢ ɬɨɪɰɨɜ 1μ1, 1μ1.5, 1μβ, 1μβ.5, 1μγ, 1μγ.5...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
itnt_2015_99.pdfОсновная статья265.58 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.