Отрывок: Верхняя грань данной схемы является плоскостью плотности потока энергии падающего излучения, которая описывается входящей модой электрического поля. 3. Результаты моделирования На рисунке представлены результаты моделирования прохождения света через структуру с нанонитями, в которой расстояние между каждым элементом нитевидной системы составлял 0.1 мкм. Из ан...
Название : Моделирование прохождения света через нитевидную структуру кремния
Авторы/Редакторы : Шишкин И. А.
Лизункова Д. А.
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Шишкин, И. А. Моделирование прохождения света через нитевидную структуру кремния. - Текст : электронный / И. А. Шишкин, Д. А. Лизункова // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 011752
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\467179
Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи
прохождение света
кремниевые нитевидные наноструктуры
коэффициент отражения
кремниевые нанонити
моделирование
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
72paper011752.pdf771.66 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.