Отрывок: Формирование результирующего профиля при этом описывается как результат затягивания микрополостей, образующихся в слое резиста при экспонировании. Для этого слой резиста со внутренними микрополостями приближается пилообразной поверхностью, для к...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСидоров Ф. А.ru
dc.contributor.authorРогожин А. Е.ru
dc.coverage.spatialсинусоидальные голографические решеткиru
dc.coverage.spatialтермическая деполимеризацияru
dc.coverage.spatialтермостимулированная электронно-лучевая литографияru
dc.creatorСидоров Ф. А., Рогожин А. Е.ru
dc.date.accessioned2023-10-02 09:47:03-
dc.date.available2023-10-02 09:47:03-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\541492ru
dc.identifier.citationСидоров, Ф. А. Моделирование процесса формирования синусоидальных голографических решеток методом термостимулированной электронно-лучевой литографии / Ф. А. Сидоров, А. Е. Рогожин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 013262.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processa-formirovaniya-sinusoidalnyh-golograficheskih-reshetok-metodom-termostimulirovannoi-elektronnoluchevoi-litografii-105617-
dc.description.abstractВ данной работе описывается применение метода термостимулированной электронно-лучевой литографии для получения синусоидальныхголографических решеток в полимерном резисте, а также приводятся результаты моделирования результирующей формы профиля решеток при различных параметрах экспонирования. На примере моделирования линий, получаемых данным методом в ПММА установлено, что при правильном подборе параметров экспонирования форма результирующего профиля с высокой точностью является синусоидальной.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleМоделирование процесса формирования синусоидальных голографических решеток методом термостимулированной электронно-лучевой литографииru
dc.typeTextru
dc.citation.spage013262ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartФормирование результирующего профиля при этом описывается как результат затягивания микрополостей, образующихся в слое резиста при экспонировании. Для этого слой резиста со внутренними микрополостями приближается пилообразной поверхностью, для к...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1917-9_2023-013262.pdf554.74 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.