Отрывок: Учитывая даже более низкие лазерные пороги изучаемых микростержней по сравнению с многогранными микрокристаллами (в случае последних пороги были ~5...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorТарасов А. П.ru
dc.coverage.spatialZnOru
dc.coverage.spatialвынужденное излучениеru
dc.coverage.spatialлазерная генерацияru
dc.coverage.spatialмоды шепчущей галереиru
dc.coverage.spatialмикрорезонаторыru
dc.coverage.spatialмикростержниru
dc.coverage.spatialэкситонное излучениеru
dc.coverage.spatialУФru
dc.creatorТарасов А. П.ru
dc.date.accessioned2023-10-02 09:46:37-
dc.date.available2023-10-02 09:46:37-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\541449ru
dc.identifier.citationТарасов, А. П. Механизмы вынужденного излучения в микростержнях ZnO большого диаметра с модами шепчущей галереи / А. П. Тарасов // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012512.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Mehanizmy-vynuzhdennogo-izlucheniya-v-mikrosterzhnyah-ZnO-bolshogo-diametra-s-modami-shepchushei-galerei-105600-
dc.description.abstractРабота посвящена исследованию природы вынужденного излучения при различных температурах в микростержнях ZnO с диаметрами порядка 10 мкм и более, демонстрирующих лазерный эффект на модах шепчущей галереи. Лазерная генерация таких микростержней обладала низкими порогами (вплоть до 10 – 20 кВт/см2) и проявляла характерное красное смещение контура усиления при увеличении уровня накачки. Показано, что в различных температурных интервалах основной механизм оптического усиления определяется различными экситонными процессами. В частности, при комнатной температуре вынужденное излучение обусловлено в основном процессом экситонэлектронного рассеяния.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleМеханизмы вынужденного излучения в микростержнях ZnO большого диаметра с модами шепчущей галереиru
dc.typeTextru
dc.citation.spage012512ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartУчитывая даже более низкие лазерные пороги изучаемых микростержней по сравнению с многогранными микрокристаллами (в случае последних пороги были ~5...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1917-9_2023-012512.pdf312.22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.