Отрывок: Численное моделирование системы уравнений проводилось при параметрах 𝜃 = −1.5, 𝛼 = 3, С = 0.6, 𝐼𝑝 = 1.9, 𝑑 = 0.052, 𝛾 = 0.1, которые типичны для VCSEL [3]. На рисунке 1 представлена полученная численно пространственно-временная зависимость интенсивности. Наблюдается модуляционная неустойчивость. При введении в систему когерентной оптической инжекции, которая характеризуется амплитудой 𝐸𝑖𝑛𝑗, происходит стабилизация ла...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЯрунова Е. А.ru
dc.contributor.authorКренц А. А.ru
dc.contributor.authorМолевич Н. Е.ru
dc.coverage.spatialчисленное моделированиеru
dc.coverage.spatialфиламентация лазерного излученияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые широкоапертурные лазерыru
dc.coverage.spatialстабилизация излученияru
dc.coverage.spatialальфа факторru
dc.coverage.spatialмоделирование динамики лазераru
dc.coverage.spatialмодуляционная неустойчивостьru
dc.coverage.spatialкогерентная оптическая инжекцияru
dc.creatorЯрунова Е. А., Кренц А. А., Молевич Н. Е.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\467257ru
dc.identifier.citationЯрунова, Е. А. Исследование влияния альфа фактора на стабилизацию излучения полупроводниковых лазеров с помощью оптической инжекции. - Текст : электронный / Е. А. Ярунова, А. А. Кренц, Н. Е. Молевич // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 013792ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.].ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleИсследование влияния альфа фактора на стабилизацию излучения полупроводниковых лазеров с помощью оптической инжекцииru
dc.typeTextru
dc.citation.spage013792ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartЧисленное моделирование системы уравнений проводилось при параметрах 𝜃 = −1.5, 𝛼 = 3, С = 0.6, 𝐼𝑝 = 1.9, 𝑑 = 0.052, 𝛾 = 0.1, которые типичны для VCSEL [3]. На рисунке 1 представлена полученная численно пространственно-временная зависимость интенсивности. Наблюдается модуляционная неустойчивость. При введении в систему когерентной оптической инжекции, которая характеризуется амплитудой 𝐸𝑖𝑛𝑗, происходит стабилизация ла...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
96paper013792.pdf676.29 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.