Отрывок: Компьютерная оптика и нанофотоника VII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2021) 013502 Figure 1: SEM image of MoS2 deposited on IDE 3. Conclusion The successful chemical exfoliation of bulk MoS2 in N-methyl Pyrrolidone (NMP) solvent helped in obtaining few layered MoS2. The exfoliated MoS2 are direct band gap semiconductor which are suitable for sensing applications. The SEM images of the exfoliated MoS...
Название : Development of transition metal dichalcogenides for modern photodetector devices
Авторы/Редакторы : Kumar S.
Pavelyev V.
Tripathi N.
Sharma P.
Mishra P.
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Development of transition metal dichalcogenides for modern photodetector devices. - Текст : электронный / S. Kumar, V. Pavelyev, N. Tripathi, P. Sharma, P. Mishra // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 013502
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\467373
Ключевые слова: фотодетекторные устройства
химическое расслоение
сульфид молибдена
оптоэлектронные свойства
chemical separation
exfoliation
transition metal dichalcogenides
photodetection
optoelectronic properties
molybdenum sulfide
nanostructures
дихалькогениды переходных металлов
наноструктуры
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
130paper013502.pdf575.87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.