Отрывок: 75 ivjrp Rh Рис. 4.1. Установка для измерения ВАХ МДП-структур: Б5-30 - блок питания, В7-26-электронный вольтметр, МДП - исследуемая МДП-структура, R H - сопротивление нагрузки, ЭД-0.5М - электрометр. Типичные ВАХ структур Al/Sc20 3/Si, A l/Sc20 3/S i0 2/Si, Al/Gd20 3/Si и Al/Gd20 3/S i0 2/Si представлены на рис. 4.2-4.5. Как видно из рисунков, ВАХ исследуемых структур практически симметричны. Вид ВАХ всех исследованных структур качественн...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorГурьянов А. М.ru
dc.contributor.authorСамарский государственный университетru
dc.coverage.spatialавторефератыru
dc.coverage.spatialдиссертацииru
dc.coverage.spatialдиэлектрикиru
dc.coverage.spatialпленочные микроструктурыru
dc.coverage.spatialпленочные наноструктурыru
dc.coverage.spatialредкоземельные элементыru
dc.creatorГурьянов А. М.ru
dc.date.accessioned2022-06-21 13:09:23-
dc.date.available2022-06-21 13:09:23-
dc.date.issued2006ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\483303ru
dc.identifier.citationГурьянов, А. М. Свойства пленочных микро-и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов : дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 : защищена 31.05.06 / Гурьянов Александр Михайлович ; Самар. гос. ун-т. - Самара, 2006. - 1 файл (3,65 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Dissertacii-Zakryto/Svoistva-plenochnyh-mikroi-nanostruktur-s-dielektricheskimi-sloyami-na-osnove-oksidov-redkozemelnyh-elementov-97993-
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofСвойства пленочных микро-и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.1ru
dc.subjectФизико-математические наукиru
dc.titleСвойства пленочных микро-и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементовru
dc.typeTextru
dc.subject.rubbkВ379.22р43ru
dc.textpart75 ivjrp Rh Рис. 4.1. Установка для измерения ВАХ МДП-структур: Б5-30 - блок питания, В7-26-электронный вольтметр, МДП - исследуемая МДП-структура, R H - сопротивление нагрузки, ЭД-0.5М - электрометр. Типичные ВАХ структур Al/Sc20 3/Si, A l/Sc20 3/S i0 2/Si, Al/Gd20 3/Si и Al/Gd20 3/S i0 2/Si представлены на рис. 4.2-4.5. Как видно из рисунков, ВАХ исследуемых структур практически симметричны. Вид ВАХ всех исследованных структур качественн...-
Располагается в коллекциях: Диссертации (Закрыто)

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Гурьянов А.М. Свойства 2006.pdf3.74 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.