Отрывок: Размер ФЗЗ для 1/0AS получился равным Асо/сот = 11% между 12 и 13 зонами (между частотами 0,8014 и 0,8948) при £• = 12 и оптимальном факторе заполнения диэлектрикому=18,9%. I», 3 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 о Рисунок 3.2 - Зонная структура аппроксиманта 1/0DR (первые 15 зон). Фактор заполнения диэлектриком f= 2 2 ,7%, а его диэлектрическая постоянная £=12. Размер полной запрещенн...
Название : Расчет зонной структуры и формирование фотонных кристаллов и квазикристаллов на полупроводниковых и металлодиэлектрических оптических материалах
Авторы/Редакторы : Дьяченко П. Н.
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет)
Дата публикации : 2010
Библиографическое описание : Дьяченко, П. Н. Расчет зонной структуры и формирование фотонных кристаллов и квазикристаллов на полупроводниковых и металлодиэлектрических оптических материалах [Электронный ресурс] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 : защищена 11.03.2011 / Дьяченко Павел Николаевич ; Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) (СГАУ). - Самара, 2010. - on-line
Аннотация : ДСП
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/Дис/Д 937-875537
Ключевые слова: квазикристаллы
оптические материалы
фотонные кристаллы
Располагается в коллекциях: Диссертации (Закрыто)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Дьяченко П. Н. Расчет зонной.pdffrom 1C57.29 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.