Отрывок: Пред полагается, что при дальнейшей термообработке контактной системы в инертной атмосфере происходит восстановление поверхности карбида кремния, что приводит к уменьшению содержания и его однородному рас пределению по контакту при повышении температуры термообработки. Исследованы температурные вольтамперные характеристики омиче ского ко...
Название : | Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si |
Авторы/Редакторы : | Колесникова А. А. |
Дата публикации : | 2007 |
Библиографическое описание : | Колесникова, А. А. Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si / А. А. Колесникова // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 14 - 16 мая 2007 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - Самара : СГАУ, 2007. - С. 112-115. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\534353 |
Ключевые слова: | термообработка гетероструктуры 3C-SiC/Si омические контакты |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-112-115.pdf | 89.52 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.