Отрывок: Пред­ полагается, что при дальнейшей термообработке контактной системы в инертной атмосфере происходит восстановление поверхности карбида кремния, что приводит к уменьшению содержания и его однородному рас­ пределению по контакту при повышении температуры термообработки. Исследованы температурные вольтамперные характеристики омиче­ ского ко...
Название : Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
Авторы/Редакторы : Колесникова А. А.
Дата публикации : 2007
Библиографическое описание : Колесникова, А. А. Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si / А. А. Колесникова // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 14 - 16 мая 2007 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - Самара : СГАУ, 2007. - С. 112-115.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\534353
Ключевые слова: термообработка
гетероструктуры 3C-SiC/Si
омические контакты
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-112-115.pdf89.52 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.