Отрывок: В этом случае образуется нестабильная фаза материала, что приводит к снижению стабильности элемента и воспроизводимости его основных характеристик. При этом также сильно разрушается рабочий электрод, что приводит к загрязнению резистивного материю га. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ФАКЕЛЬНОГО РАЗРЯДА С ТОЛСТОЙ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКОЙ М. Н. Пиганов, А.В. Столбиков Самарский государ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorСтолбиков А. В.ru
dc.contributor.authorБаталова А. М.ru
dc.coverage.spatialобработкаru
dc.coverage.spatialнормально—круговой законru
dc.coverage.spatialнагревru
dc.coverage.spatialполубесконечные плоскостиru
dc.coverage.spatialпленкиru
dc.coverage.spatialподложкиru
dc.coverage.spatialгорение зарядаru
dc.coverage.spatialмногокомпонентные композиционные пастыru
dc.coverage.spatialмикросборкиru
dc.coverage.spatialкоэффициенты поглощенияru
dc.coverage.spatialматематические моделиru
dc.coverage.spatialкинетикаru
dc.coverage.spatialкоэффициент прозрачностиru
dc.coverage.spatialчастотыru
dc.coverage.spatialточечные источникиru
dc.coverage.spatialтолстопленочные элементыru
dc.coverage.spatialфазыru
dc.coverage.spatialфакельно-дуговые разрядыru
dc.coverage.spatialрезистивные слоиru
dc.coverage.spatialрезисторыru
dc.coverage.spatialрезистивные материалыru
dc.coverage.spatialрабочие электродыru
dc.coverage.spatialстабильностьru
dc.coverage.spatialтемпературыru
dc.creatorПиганов М. Н., Столбиков А. В., Баталова А. М.ru
dc.date.accessioned2021-10-26 14:21:11-
dc.date.available2021-10-26 14:21:11-
dc.date.issued2004ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470153ru
dc.identifier.citationПиганов, М. Н. Повышение стабильности факельно—дугового разряда при обработке микросборок. - Текст : электронный / М. Н. Пиганов, А. В. Столбиков, А. М. Баталова // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронный / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - 2004. - С. 80-81ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Povyshenie-stabilnosti-fakelno—dugovogo-razryada-pri-obrabotke-mikrosborok-92588-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронныйru
dc.titleПовышение стабильности факельно—дугового разряда при обработке микросборокru
dc.typeTextru
dc.citation.epage81ru
dc.citation.spage80ru
dc.textpartВ этом случае образуется нестабильная фаза материала, что приводит к снижению стабильности элемента и воспроизводимости его основных характеристик. При этом также сильно разрушается рабочий электрод, что приводит к загрязнению резистивного материю га. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ФАКЕЛЬНОГО РАЗРЯДА С ТОЛСТОЙ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКОЙ М. Н. Пиганов, А.В. Столбиков Самарский государ...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-80-81.pdf107.2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.