Отрывок: Также проблемой низкой эффективности ФЭП является сложность формирования контактов на наноструктурированной поверхности кремния. Омический контакт — контакт между двумя полупроводниками или полупроводником и металлом, отличительной чертой которого является симметричная и линейная вольт-амперная характеристика. Главными шагами в создании контакта являются очистка поверхности, осаждение контактной металлизации...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПолуэктова Н. А.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.coverage.spatialфоточувствительные структурыru
dc.coverage.spatialметоды изготовленияru
dc.coverage.spatialнанокристаллический кремнийru
dc.coverage.spatialомические контактыru
dc.creatorПолуэктова Н. А., Шишкина Д. А.ru
dc.date.accessioned2022-05-13 12:59:24-
dc.date.available2022-05-13 12:59:24-
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\481482ru
dc.identifier.citationПолуэктова, Н. А. Подбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур на основе кремния / Н. А. Полуэктова, Д. А. Шишкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2022. - С. 150-151.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Podbor-optimalnyh-kontaktov-dlya-fotochuvstvitelnyh-struktur-na-osnove-kremniya-97459-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. - Текст : электронныйru
dc.titleПодбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур на основе кремнияru
dc.typeTextru
dc.citation.epage151ru
dc.citation.spage150ru
dc.textpartТакже проблемой низкой эффективности ФЭП является сложность формирования контактов на наноструктурированной поверхности кремния. Омический контакт — контакт между двумя полупроводниками или полупроводником и металлом, отличительной чертой которого является симметричная и линейная вольт-амперная характеристика. Главными шагами в создании контакта являются очистка поверхности, осаждение контактной металлизации...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-903-943-17-3_2022-150-151.pdf197.51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.