Отрывок: Большая ширина запрещённой зоны означает, что работоспособность транзисторов из нитрида галлия сохраняется при более высоких температурах и напряжениях; а так же нитрид галлиевые транзисторы имеют более высокое быстродействие по сравнению с транзисторами на основе кремния [1]. В программном пакете для моделирования физических процессов COMSOL Multiphysics 6.0 с использованием модуля ...
Название : Моделирование ключевого режима работы полевого транзистора на основе нитрида галлия
Авторы/Редакторы : Козлова И. Н.
Амельчук А. А.
Дата публикации : 2023
Библиографическое описание : Козлова, И. Н. Моделирование ключевого режима работы полевого транзистора на основе нитрида галлия / И. Н. Козлова, А. А. Амельчук // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. (г.Самара, 25-28 апр. 2023 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под. ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2023. - С. 217-218.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\535481
Ключевые слова: ключевые режимы работы
моделирование ключевого режима
нитрид галлия
полевые транзисторы
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-903943-19-7_2023-217-218.pdf178.83 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.