Отрывок: Выходное вы сокочастотное напряж ение и вых1 сним ается с колебательного контура, а детектированное напряж ение и выХ2 - с эм иттера транзистора (при включении в цепь эм иттера R C -фильтра). В ы сокая частотная избирательность определяется тем, что для частот напряж ения U~, проходящ их полосу пропускания Af=fB f H параллельного колебательного контура, потери в нем ком...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorПищулина Н. П.ru
dc.contributor.authorСоветкина М. А.ru
dc.coverage.spatialвысокочастотное ключевое устройствоru
dc.coverage.spatialгистерезисные зоныru
dc.coverage.spatialбиполярные транзисторыru
dc.coverage.spatialпараллельный колебательный LC-контурru
dc.coverage.spatialчастотнозависимые динамические параметрыru
dc.creatorДмитриев В. Д., Пищулина Н. П., Советкина М. А.ru
dc.date.accessioned2019-12-16 15:48:19-
dc.date.available2019-12-16 15:48:19-
dc.date.issued2011ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\431559ru
dc.identifier.citationДмитриев, В. Д. Экспериментальное исследование амплитудно-частотного ключевого элемента с двумя гистерезисными зонами / В. Д. Дмитриев, Н. П. Пищулина, М. А. Советкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 10-12 мая 2011 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [под ред. М. Н. Пиганова]. - 2011. - С. 48-50ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Eksperimentalnoe-issledovanie-amplitudnochastotnogo-kluchevogo-elementa-s-dvumya-gisterezisnymi-zonami-80912-
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 10-12 мая 2011 г.ru
dc.titleЭкспериментальное исследование амплитудно-частотного ключевого элемента с двумя гистерезисными зонамиru
dc.typeTextru
dc.citation.epage50ru
dc.citation.spage48ru
dc.textpartВыходное вы сокочастотное напряж ение и вых1 сним ается с колебательного контура, а детектированное напряж ение и выХ2 - с эм иттера транзистора (при включении в цепь эм иттера R C -фильтра). В ы сокая частотная избирательность определяется тем, что для частот напряж ения U~, проходящ их полосу пропускания Af=fB f H параллельного колебательного контура, потери в нем ком...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Актуальные проблемы 2011-48-50.pdf85.5 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.