Отрывок: Целью настоящей работы является создание модели износа катода источника низкотемпературной плазмы на основе высоковольтного газового разряда. Задачи, решаемые в работе: описание процесса распыления катода ИНТП положительными ионами; нанесения распыляемых атомов на поверхность изолирующих узлов; построение эквивалентных схем систем ИНТП, ИНТП-П-ОО. Объект исс...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКутурин В. А.ru
dc.contributor.authorКолпаков В. А.ru
dc.contributor.authorКричевский С. В.ru
dc.coverage.spatialимпедансная спектроскопияru
dc.coverage.spatialизнос катодаru
dc.coverage.spatialисточник низкотемпературной плазмыru
dc.coverage.spatialмоделированиеru
dc.creatorКутурин В. А., Колпаков В. А., Кричевский С. В.ru
dc.date.accessioned2022-05-13 12:59:04-
dc.date.available2022-05-13 12:59:04-
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\481346ru
dc.identifier.citationКутурин, В. А. Анализ метода импедансной спектроскопии плазмы / В. А. Кутурин, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2022. - С. 99-101.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Analiz-metoda-impedansnoi-spektroskopii-plazmy-97434-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. - Текст : электронныйru
dc.titleАнализ метода импедансной спектроскопии плазмыru
dc.typeTextru
dc.citation.epage101ru
dc.citation.spage99ru
dc.textpartЦелью настоящей работы является создание модели износа катода источника низкотемпературной плазмы на основе высоковольтного газового разряда. Задачи, решаемые в работе: описание процесса распыления катода ИНТП положительными ионами; нанесения распыляемых атомов на поверхность изолирующих узлов; построение эквивалентных схем систем ИНТП, ИНТП-П-ОО. Объект исс...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-903-943-17-3_2022-99-101.pdf179.6 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.